고속, 안정된 미세홀 가공을 실현합니다. 수중에서의 가공으로 인해 홀 관통 후에도 방전 상태가 안정되어, 홀 관통 검출 정밀도에 크게 기여합니다.

시판 표준 파이프 전극을 사용하여, 디퓨저 형상에 맞춘 가공 패스를 프로그래밍하는 것으로, 효율적인 창성가공이 가능합니다. 파이프 전극의 홀에서 최대 10 MPa의 가공액을 고압 분사하여, 칩배출을 촉진시켜 고속가공이 가능합니다.

전극이 워크를 관통했는지를 검출하는 기능을 표준 장착 했습니다. 전극이 너무 깊이 삽입되어 다른 부분을 잘못 가공하는 것(백스트라이크)을 방지 합니다.

2축의 경사 각도분할 테이블을 채용하였습니다. 최대 워크 치수 φ300 × 300 mm, 최대 워크 중량 20kg 입니다. 워크 높이에 맞춰 전극 가이드 선단의 위치를 결정하는 가이드 암(W축), 길이가 긴 파이프 전극을 사용할 때, 전극의 중간점에서 발생되는 회전 진동의 확대를 억제, 회전 진동 방지 핑거 등, 다양한 독자 기술들을 탑재하고 있습니다.